机译:针对栅极氧化物可靠性和热载流子退化的2x耐压混合电压I / O缓冲器设计
机译:低压CMOS工艺中考虑栅氧化物可靠性的电荷泵电路设计
机译:基于缺陷的紧凑建模方法,用于CMOS器件和集成电路的可靠性
机译:2xVDD公差晶体振荡器电路实现1xVDD CMOS器件,无栅极可靠性问题
机译:模拟CMOS IC的压力测试,可增强栅极氧化物的可靠性。
机译:随机纳米氮化钛晶粒引起的动态功率延迟的特性波动以及全能门纳米线CMOS器件和电路的纵横比效应
机译:考虑低压CmOs工艺中栅氧化层可靠性的电荷泵电路设计